[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201110219399.9 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102354529A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 白滨政则;县泰宏;山本安卫;菊川博仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孟祥海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件。在具有电阻变化型存储元件的半导体存储器件中，不需要负电位发生电路，并且缩短数据读出时间。在准备时，电阻变化型存储元件(403)的两端、即位线(BL)和源极线(SL)由位线和源极线的各预充电电路(402)设定为预充电电位Vp。在置位时，位线(BL)由位线写入偏置发生电路(401)设置为比上述预充电电位Vp高的设定电位Vd，源极线(SL)由源极线写入偏置发生电路接地。在复位时，与置位时相反，位线(BL)接地，源极线(SL)被设定为设定电压Vd。在数据读出时，例如将位线(BL)保持为上述预充电电位Vp，由读出偏置电路(405)将源极线(SL)接地。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：具有第一节点和第二节点的电阻变化型存储元件；连接到上述电阻变化型存储元件的第一节点上的第一选择线；以及连接到上述电阻变化型存储元件的第二节点上的第二选择线，其中，上述电阻变化型存储元件在上述第一节点和上述第二节点之间施加正向和反向的偏置电压来进行数据的置位和复位，该半导体存储器件还包括：读出放大器，放大设定参考电位和由上述电阻变化型存储元件的电阻值产生的电位之间的电位差；放大控制单元，使上述读出放大器进行放大工作；写入单元，开始对上述电阻变化型存储元件进行数据的置位或复位工作，并且接收上述读出放大器的输出信号，根据该接收到的输出信号来停止上述数据的置位和复位工作。
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