[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110220347.3 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102915922A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;王冬江;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法。本发明中，在衬底上形成光致抗蚀剂掩模之后，对光致抗蚀剂进行等离子体预处理，然后再进行刻蚀。通过等离子体预处理，能够改善光致抗蚀剂的线条状图案的线宽粗糙度，从而能够在后续的刻蚀步骤中在衬底上形成更加优异的线条状图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：在衬底上形成图案化的光致抗蚀剂层，对所述光致抗蚀剂层进行等离子体预处理，以减小图案化的光致抗蚀剂层的线宽粗糙度，以及对衬底进行刻蚀，形成图案化的衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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