[发明专利]标准CMOS或BICMOS IC工艺中用于实现高电压输入/输出的ESD保护

摘要

本申请涉及一种ESD保护的方法，包括：a)提供ESD-二极管，其包括阳极和阴极，并且具有正向偏压VD-FB和反向击穿电压VD-RB，大于正向偏压VD-FB，二极管允许电流在从阳极到阴极的正向方向流动，小于反向击穿电压VD-RB，二极管允许电流在从阴极到阳极的反向方向流动；b)提供多个ESD子电路，每个ESD子电路包括与电阻串联耦合的ESD-二极管，每个ESD子电路具有第一和第二电端子；c)将所述的ESD子电路并联连接，第一电端子连接到集成电路的高电压输入或输出，并且第二电端子连接到公共电压；和d)提供在ESD-二极管的正向偏压VD-FB和反向击穿电压VD-RB之间的范围的高电压输入电压摆幅。这具有简化标准CMOS工艺的使用，得到高于标称电压I/Os的优点。

主权项

一种ESD保护的方法，用于保护采用标准CMOS或BiCMOS IC工艺制造的集成电路的高电压输入或输出，所述高电压输入或输出允许呈现大于标准CMOS或BiCMOS IC工艺的特定最大I/O电压的电压摆幅，所述方法包括a.提供ESD 二极管，其包括阳极和阴极，并且具有正向偏压VD FB和反向击穿电压VD RB，在大于正向偏压VD FB时，二极管允许电流在从阳极到阴极的正向方向流动，在小于反向击穿电压VD RB时，二极管允许电流在从阴极到阳极的反向方向流动；b.提供多个ESD子电路，每个ESD子电路包括与电阻串联耦合的ESD 二极管，每个ESD子电路具有第一和第二电端子；c.将所述的ESD子电路并联连接，第一电端子连接到集成电路的高电压输入或输出，并且第二电端子连接到公共电压；d.使得高电压输入电压摆幅在ESD 二极管的正向偏压VD FB和反向击穿电压VD RB之间的范围内。