[发明专利]LED磊晶粗化制程无效
| 申请号： | 201110223887.7 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102916090A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤；首先，提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层，接着，形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层，然后，湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面，再形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，最后制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。本发明并提供所述LED磊晶结构。 | ||
| 搜索关键词： | led 磊晶粗化制程 | ||
【主权项】：
一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤：提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层，形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层，湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面，形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，及制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110223887.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种从莲子磨皮粉中分步提取蛋白质、淀粉的方法
- 下一篇：一种低糖保健雪糕
