[发明专利]包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片有效
| 申请号： | 201110224384.1 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102280422A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | L·阿拉纳;M·纽曼;D·纳特卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的名称是“包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片”。本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 金属 粒子 填充 硅片 直通 通路 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：集成电路；以及在所述集成电路内的硅片直通通路，其中，所述硅片直通通路包含由金属基质和嵌入所述金属基质中的填料粒子组成的复合材料。
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