[发明专利]发光二极管封装结构有效
申请号: | 201110225675.2 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102931329A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 林新强 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构,包括若干电极、一发光二极管芯片和一封装层。相邻两个电极之间相互间隔形成一间隙。所述发光二极管芯片与所述电极电性连接,该封装层包覆所述发光二极管芯片于其内部。每一电极于靠近对应间隙处形成为斜面,每一斜面从对应电极靠近所述封装层处的一端向下并向该间隙内倾斜延伸,使得照射于所述斜面上的光线经斜面反射后向所述封装层方向出射。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,包括若干电极、一发光二极管芯片和一封装层,相邻两个电极之间相互间隔形成一间隙,所述发光二极管芯片与所述电极电性连接,该封装层包覆所述发光二极管芯片于其内部,其特征在于,每一电极于靠近对应间隙处形成为斜面,每一斜面从对应电极靠近所述封装层处的一侧向远离封装层的一侧及向该间隙内倾斜延伸,使得照射于所述斜面上的光线经斜面反射后向所述封装层方向出射。
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