[发明专利]一种液晶显示装置及其制造方法无效
申请号: | 201110226254.1 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102253522A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 胡君文;李林;洪胜宝;林建伟;谢凡;何基强;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1362;H01L21/77;G03F7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种液晶显示装置的制作方法,包括:提供第一基板,所述第一基板包括栅极区、存储电容区、位于所述栅极区和存储电容区表面上的第一保护层以及位于所述第一保护层上的非晶硅层和数据线层,在所述非晶硅层和数据线层上形成硅岛和数据线,在所述第一保护层和数据线表面上形成第二保护层并在第二保护层上形成过孔,在所述第二保护层表面上形成电极层,在所述电极层上形成像素电极和共同电极。本发明所述生产液晶显示装置的方法,硅岛和数据线通过一次光刻过程同时形成,像素电极和共同电极也是通过一次光刻过程同时形成,较传统工艺减少了两次光刻过程,少用了两张掩模板,大大降低了生产成本,提高了液晶显示装置的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种液晶显示装置的制作方法,其特征在于,包括:提供第一基板,所述第一基板包括栅极区、存储电容区、位于所述栅极区和存储电容区表面上的第一保护层以及位于所述第一保护层上的非晶硅层和数据线层;在所述非晶硅层和数据线层上形成硅岛和数据线,所述硅岛和数据线是在同一光刻过程中形成的;在所述第一保护层和数据线表面上形成第二保护层,在所述第二保护层上形成过孔;在所述第二保护层表面上形成电极层,在所述电极层上形成像素电极和共同电极,所述像素电极和共同电极在同一光刻过程中形成。
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