[发明专利]接垫结构的形成方法有效
申请号: | 201110227636.6 | 申请日: | 2011-08-09 |
公开(公告)号: | CN102931145A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 丁海涛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种接垫结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有第一保护层和为所述第一保护层所露出的接垫;在所述第一保护层与所述接垫上形成第二保护层;在所述第二保护层上形成第一开口以暴露出所述接垫,所述第一开口的底部位于所述接垫上;采用焊锡材料填充所述第一开口,以形成新的接垫。采用本发明提供的接垫结构形成方法,可以满足倒装晶片结合对接垫的要求且该方法的工序简单、省时、生产成本低。 | ||
搜索关键词: | 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种接垫结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底上具有第一保护层和为所述第一保护层所露出的接垫;在所述第一保护层与所述接垫上形成第二保护层;在所述第二保护层上形成第一开口以暴露出所述接垫,所述第一开口的底部位于所述接垫上;采用焊锡材料填充所述第一开口,以形成新的接垫。
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