[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201110228166.5 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931085A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅区和伪栅区的侧墙；在伪栅区两侧的半导体衬底上形成外延层，以形成源漏区，所述外延层为金属硅化物、金属锗化物或金属硅锗化物；覆盖所述源漏区外延的金属硅化物层以形成层间介质层；去除所述伪栅区，形成开口；在所述开口内壁形成栅介质层，以及栅介质层上形成填满所述开口的金属栅电极。在形成替代栅之前，在栅区两侧的半导体衬底上形成外延层，该外延层为肖特基势垒场效应晶体管器件的源漏区，由于该外延层覆盖所述器件的整个源漏区，且该外延源漏区与沟道之间的肖特基势垒高度被有效降低了，显著减小了器件的源漏寄生电阻，从而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅区和伪栅区的侧墙；在伪栅区两侧的半导体衬底上形成外延层，以形成源漏区，所述外延层为金属硅化物、金属锗化物或金属硅锗化物；覆盖所述外延层以形成层间介质层；去除所述伪栅区，形成开口；在所述开口内壁形成栅介质层，以及栅介质层上形成填满所述开口的金属栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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