[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110228634.9 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931234A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 代萌;林中瑀 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法，该器件包括：基底，所述基底包括第一阱区、位于所述第一阱区表面内的第二阱区、位于所述第二阱区表面内的掺杂区、位于所述掺杂区周边的场氧以及位于所述场氧下方的漂移区；位于所述掺杂区表面内的漏区，所述漏区边缘与所述漂移区边缘具有一定距离。本发明改变了增加了漏区边缘与漂移区边缘的距离，从而增大了漏区边缘与漂移区边缘之间的电阻，增大了漏区边缘与漂移区边缘之间的电流的流通路径，也就提高了器件的维持电压，因此当发生ESD现象时，所述漏区与所述漂移区间的电流不再集中，从而使器件的发热量减小，即可避免烧坏器件，从而提高LDMOS器件对ESD的耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一阱区、位于所述第一阱区表面内的第二阱区、位于所述第二阱区表面内的掺杂区、位于所述掺杂区周边的场氧以及位于所述场氧下方的漂移区；位于所述掺杂区表面内的漏区，所述漏区边缘与所述漂移区边缘具有一定距离。
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