[发明专利]一种多栅指GaN HEMTs

摘要

本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为变温栅指的各个栅指之间的距离为L_gg，OUT，i＝L_gg，IN+a(4i³+3i²+i)。在上述基础上对GaN HEMTs的各个栅指位置进行设计，使得其在工作时，温度最高的栅指的温度降低，即GaN HEMTs的沟道温度降低，提高了GaN HEMTs的输出功率，延长了GaN HEMTs的工作寿命。

主权项

一种多栅指GaN HEMTs，包括栅指，其特征在于，所述栅指分为等温栅指和变温栅指，所述等温栅指的各个栅指之间的距离为： L gg , IN = ( n 1 - 0.5 ) × L 0 + W op n 1 - 0.5 = W IN + W op n 1 - 0.5 , 其中，Lgg，IN‑多栅指GaN HEMTs等温栅指的各个栅指之间的距离，μm；n1‑多栅指GaN HEMTs等温栅指的单侧栅指间间隔的数量；L0‑等栅间距的GaN HEMTs的各个栅指之间的距离，μm；WIN‑等栅间距的GaN HEMTs等温栅指的单侧总长度，μm；Wop‑多栅指GaN HEMTs与等栅间距的GaN HEMTs相比，等温栅指的单侧补偿长度，μm；所述变温栅指的各个栅指之间的距离为：Lgg，OUT，i＝Lgg，IN+a(4i3+3i2+i)， W OUT = Σ i = 1 n 2 L gg , OUT , i , 其中，i‑从多栅指GaN HEMTs中心向边缘对变温栅指之间的间隔进行计数时对应的索引值；n2‑多栅指GaN HEMTs的变温栅指的单侧栅指间间隔的数量；i的取值范围从1到n2；L0‑等栅间距的GaN HEMTs各个栅指之间的距离，μm；Lgg，OUT‑多栅指GaN HEMTs变温栅指的各个栅指之间的距离，μm；WOUT‑多栅指GaN HEMTs变温栅指的单侧总长度，μm；a‑多栅指GaN HEMTs变温栅指的各个栅指之间距离的渐变系数。