[发明专利]用于晶片级突起回流的设备、系统和方法无效
| 申请号： | 201110229962.0 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102376598A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 朴明洵;郑泰敬;安殷徹;李宜珩;李相熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/67;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于晶片级突起回流的设备、系统和方法。一种用于形成晶片级突起的方法包括如下步骤：在晶片的第一表面上形成至少一个预突起；在第一表面面朝下的同时，对预突起执行突起回流工艺，从而形成突起。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 突起 回流 设备 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成晶片级突起的方法，所述方法包括如下步骤：在晶片的第一表面上形成至少一个预突起；在晶片的第一表面面朝下的同时，针对晶片执行突起回流工艺，以形成突起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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