[发明专利]1,3位-二取代吡咯烷化合物的盐的改良制造方法有效

专利信息
申请号: 201110230712.9 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102372699A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 安河内宏昭;武田俊弘 申请(专利权)人: 株式会社钟化
主分类号: C07D405/06 分类号: C07D405/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张永新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及的下式(2)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的氢卤酸盐通过下述方法来制造:使下式(1)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的游离碱的有机溶剂溶液与水共存,然后添加氢卤酸进行结晶析出。式(1)中,*1表示不对称碳。式(2)中,HX表示氢卤酸,*1表示不对称碳。
搜索关键词: 取代 吡咯烷 化合物 改良 制造 方法
【主权项】:
1.下式(2)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的氢卤酸盐的制造方法,其特征在于,使下式(1)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的游离碱的有机溶剂溶液与水共存,然后添加氢卤酸进行结晶析出,式(1)中,*1表示不对称碳,式(2)中,HX表示氢卤酸,*1表示不对称碳。
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