[发明专利]1,3位-二取代吡咯烷化合物的盐的改良制造方法有效
申请号: | 201110230712.9 | 申请日: | 2011-08-12 |
公开(公告)号: | CN102372699A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 安河内宏昭;武田俊弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | C07D405/06 | 分类号: | C07D405/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张永新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明涉及的下式(2)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的氢卤酸盐通过下述方法来制造:使下式(1)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的游离碱的有机溶剂溶液与水共存,然后添加氢卤酸进行结晶析出。式(1)中,*1表示不对称碳。式(2)中,HX表示氢卤酸,*1表示不对称碳。 |
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搜索关键词: | 取代 吡咯烷 化合物 改良 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.下式(2)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的氢卤酸盐的制造方法,其特征在于,使下式(1)代表的1,3位-二取代吡咯烷化合物的游离碱的有机溶剂溶液与水共存,然后添加氢卤酸进行结晶析出,
式(1)中,*1表示不对称碳,
式(2)中,HX表示氢卤酸,*1表示不对称碳。
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