[发明专利]单晶硅片的清洗工艺无效
| 申请号： | 201110230941.0 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102327882A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙亮湖 | 申请（专利权）人： | 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214181 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤：（1）预冲洗：将单晶硅片依次在四槽脱胶机的四个槽中进行清洗；（2）脱胶：将预冲洗后的硅片进行人工脱胶；（3）超声波清洗：将脱胶后的硅片浸入六槽式超声波清洗机中清洗；（4）甩干：将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干；（5）检验：将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。本发明清洗效果好，合格率大幅提高，极大地提高了机器的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种单晶硅片的清洗工艺，其特征是，包括如下步骤：（1）预冲洗：将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、2号槽中进行预冲淋，纯水温度为45～50℃，时间为6‑7分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声6‑7分钟，水温55‑60℃，超声频率为45‑50赫兹，在4号槽中加入3%‑5%体积浓度的乳酸或草酸或柠檬酸，超声清洗6‑7分钟，水温55‑60℃，超声频率为45‑50赫兹；（2）脱胶：将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温50～60℃，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；（3）超声波清洗：将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗6‑7分钟，水温45～50℃；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6‑7分钟，水温60～65℃；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗6‑7分钟，同时打开溢流阀，水温55～60℃；（4）甩干：将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55℃，转速400转，时间6‑7分钟；（5）检验：将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。
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