[发明专利]一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法无效
| 申请号： | 201110232272.0 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102437082A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 何伟明;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法。本发明公开了一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，通过在STI填充之前添加光刻和刻蚀工艺，垫高STI的底部，以降低其高宽比，从而在后续STI填充制程中减小因侧壁填充过快而封口产生空隙的几率，提升器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 高深 隔离工艺 填充 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，一设置有浅沟槽的硅衬底，第一氧化物层覆盖除浅沟槽部分以外的硅衬底的上表面上，一氮化硅层覆盖第一氧化层，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：淀积第二氧化物层覆盖在浅沟槽底部及其侧壁上；步骤S2：采用填充工艺填充氧化物于浅沟槽内；步骤S3：旋涂光刻胶，光刻去除浅沟槽开口处的光刻胶，回蚀浅沟槽内上部的一部分填充氧化物，之后去除剩余光刻胶；步骤S4：再次采用填充工艺填充氧化物充满浅沟槽后，进行平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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