[发明专利]接触结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201110233050.0 | 申请日： | 2000-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102339812A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;G02F1/13;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及接触结构及半导体器件。要提高半导体器件中与各向异性导电膜接触的可靠性，有源矩阵基片上的连接端子(183)的端子部分(182)通过各向异性导电膜(195)电连接到FPC(191)。连接布线(183)在有源矩阵基片上源极/漏极布线的相同工艺中制造，并由金属膜和透明导电膜的叠层膜制成。在具有各向异性导电膜(195)的连接部分中，连接布线(183)的侧面由绝缘材料制成的保护膜(173)覆盖。因此可以避免金属膜被透明导电膜、绝缘底膜以及与之接触的保护膜(173)环绕的部分暴露到空气。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种显示器件，包括：基片；在所述基片上的端子部分中的连接布线；在所述连接布线上的保护膜，该保护膜具有树脂；以及各向异性导电膜，该各向异性导电膜将所述连接布线电连接到外部电源，其中，所述保护膜覆盖所述连接布线的侧面。
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