[发明专利]显示装置、液晶面板、阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110235090.9 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102637635A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王本莲;张智钦;白峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置、液晶面板、阵列基板及其制造方法。所述制造方法包括：通过第一次构图工艺在基板上形成栅线和栅电极的图形；形成栅绝缘层，并通过第二次构图工艺形成半导体层的图形；通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线的图形，其中，源电极和漏电极之间的半导体层上形成有沟道，源电极和漏电极上保留有光刻胶；沉积钝化层，在钝化层上涂覆一层光刻胶，对该层光刻胶进行灰化处理，暴露除沟道区域之外的钝化层，去除暴露的钝化层，并去除剩余的光刻胶；以及，通过第四次构图工艺形成像素电极的图形。本发明能够简化阵列基板的制造工艺，降低生成成本，并改善薄膜晶体管的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 液晶面板 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：通过第一次构图工艺在基板上形成栅线和栅电极的图形；形成栅绝缘层，并通过第二次构图工艺形成半导体层的图形；通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线的图形，其中，源电极和漏电极之间的半导体层上形成有沟道，源电极和漏电极上保留有光刻胶；沉积钝化层，在钝化层上涂覆一层光刻胶，对该层光刻胶进行灰化处理，暴露除沟道区域之外的钝化层，去除暴露的钝化层，并去除剩余的光刻胶；以及，通过第四次构图工艺形成像素电极的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
