[发明专利]有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法

摘要

本发明有效减少通孔刻蚀停止层工艺对PMOS影响的方法解决了现有技术的通孔刻蚀停止层技术工艺中通常只有张应力的氮化硅，使NMOS器件性能得到提升的同时对PMOS器件的特性会有一定程度的衰减的问题，通过一定的工艺处理方法（具体包括UV处理，重离子轰击，例如Sn，Kr等）对PMOS区域的张应力氮化硅薄膜做一定的处理，破坏其固有的晶体结构，从而释放其本征的张应力，从而达到减小PMOS器件特性衰减的目的。

主权项

一种有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法，在一硅基板上形成一第一晶体管和一第二晶体管，其特征在于，包括以下步骤：    步骤a：在硅基板上生长一刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层将第一晶体管、第二晶体管同时覆盖，且刻蚀阻挡层向第一晶体管、第二晶体管提供张应力；    步骤b：在衬底上旋涂光刻胶，将刻蚀阻挡层完全覆盖；    步骤c：光刻去除覆盖在第二晶体管上的光刻胶；    步骤d：对第二晶体管上覆盖的刻蚀阻挡层进行处理，将该部分刻蚀阻挡层固有的晶体结构破坏，以减小该部分刻蚀阻挡层对第二晶体管所提供的张应力；    步骤e：将光刻胶移除。