[发明专利]晶片级封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110238827.2 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102270616A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 博纳德.K.艾皮特;凯.艾斯格 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶片级封装结构及其制造方法，其中该制造方法至少包括通过喷射金属插栓穿透封装胶体而形成贯穿封装胶体的穿胶插塞，由此达到成本效率较佳的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片级封装结构，包含：至少一芯片；一封装胶体，包覆该至少芯片；多个金属插塞内埋于该封装胶体内；至少一顶内连线图案，位于该封装胶体的一上表面，其中该顶内连线图案连接至一或多个该些金属插塞，而在该顶内连线图案与所连接的一或多个该些金属插塞之间具有一第一界面；至少一顶导线图案，位于该封装胶体的该上表面；至少一底内连线图案，位于该封装胶体的一下表面，其中该底内连线图案连接至一或多个该些金属插塞，而在该底内连线图案与所连接的一或多个该些金属插塞之间具有一第二界面；以及至少一底导线图案，位于该封装胶体的该下表面。
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