[发明专利]压应变p-MOSFET器件结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110239100.6 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102956698A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P型MOSFET的器件结构和制作方法，通过至少在该器件的源漏区和侧墙上淀积氮化硅和非晶碳的多层薄膜，在半导体器件的导电沟道中引入高压应力，从而提高载流子的迁移率和器件的开关速度。该多层薄膜结构至少包括压应力大于1GPa的下层氮化硅，和压应力大于3GPa的上层四面体非晶碳层；下层氮化硅可以保护金属硅化物不被碳离子轰击，同时向氮化硅中注入的少量碳离子能够提高氮化硅的压应力；使用等离子体增强化学气相淀积生长下层氮化硅，使用磁过滤脉冲阴极真空弧放电系统淀积四面体非晶碳薄膜；该发明工艺步骤简单，应变效果明显，可能被广泛应用到32nm技术节点以下的先进集成电路制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 mosfet 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应变p‑MOSFET，具有衬底、衬底中的STI、衬底中被STI包围的有源区、有源区上的栅极绝缘层与栅极材料层构成的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的侧墙、侧墙两侧的源漏区以及至少覆盖源漏区和侧墙表面的氮化硅的第一应力层，其特征在于：在氮化硅应力层上还具有四面体非晶碳薄膜的第二应力层。
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