[发明专利]结晶铪的生长系统及其方法无效
申请号: | 201110244441.2 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN102296191A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 陈怀浩 | 申请(专利权)人: | 南京佑天金属科技有限公司 |
主分类号: | C22B34/14 | 分类号: | C22B34/14 |
代理公司: | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人: | 李光松 |
地址: | 211110 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种结晶铪的生长系统及其方法,该系统包括电压可调的电源单元、反应器、设置在反应器内的钼隔罩、可容纳反应器的盐浴炉、对反应器进行冷却的冷却单元、对反应器进行抽吸真空的真空单元、给反应器进行加碘并由球阀控制的碘盒、设置在反应器上方并与电源单元电性相连的电极单元、设置在反应器内并与电极单元电性相连的结晶单元、以及设置在反应器内壁与钼隔罩之间的粗铪。与现有方法相比较,生长速度快,反应时间长,单炉产量高,单位能耗低,含氧量低。 | ||
搜索关键词: | 结晶 生长 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种结晶铪的生长系统,其特征在于:其包括电压可调的电源单元(1)、反应器(2)、设置在反应器(2)内的钼隔罩(3)、可容纳反应器(2)的盐浴炉(4)、对反应器(2)进行冷却的冷却单元、对反应器(2)进行抽吸真空的真空单元、给反应器(2)进行加碘并由球阀(18)控制的碘盒(17)、设置在反应器(2)上方并与电源单元(1)电性相连的电极单元、设置在反应器(2)内并与电极单元电性相连的结晶单元、以及设置在反应器(2)内壁与钼隔罩(3)之间的粗铪(29)。
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