[发明专利]一种基于栅致漏极泄漏效应的1T-DRAM的制备方法有效
| 申请号： | 201110250242.2 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102427065A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;陈玉文;颜丙勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于栅致漏极泄漏（GIDL）效应的1T-DRAM的制备方法，通过向半导体金属栅极漏极端注入离子从而有效实现不同于常规CMOS工艺的漏栅重叠延伸特性，以增大GIDL效应，达到加快充电速率的目的，增大写“1”过程中空穴累积效果，增加写“1”速度，从而制备高性能的1T-DRAM；而且本发明制备过程简单易行，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 栅致漏极 泄漏 效应 dram 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于栅致漏极泄漏效应的1T‑DRAM的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤一：在N型MOS晶体管制备区域由下至上依次覆盖一层高介电层和一层金属氧化物介电材料层；所述高介电层、金属氧化物介电材料层均形成在栅极槽中； 步骤二：向所述栅极槽内，金属氧化物介电材料层靠近漏极端注入拥有小功函数的离子，从而降低所述栅极靠近漏极端的功函数，致使栅极下的沟道区域中的靠近漏极端的部分区域在不加栅压的情况下反型为N型，增大晶体管的栅致漏极泄漏效应；步骤三：向所述栅极槽中填充金属或多晶硅材料，以及在晶体管的栅极、源极、漏极上完成互联金属层制作，从而完成栅极制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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