[发明专利]一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法无效
| 申请号： | 201110250275.7 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446722A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法。本发明公开了一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，通过对氮化物薄膜表面在紫外光环境下进行照射处理，使得氮化物薄膜表面中游离的N元素下降，从而降低了对该氮化物薄膜进行光刻工艺时产生光阻残余概率，能有效避免光阻的失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预防 应力 氮化 工艺 中光阻 失效 方法 | ||
【主权项】：
一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在第一、第二半导体器件所包含的第一、第二栅极结构及衬底上，淀积第一氮化物层；步骤S2：在He或Ar环境中采用紫外光对第一氮化物层进行照射处理后，采用光刻、刻蚀工艺，去除第二半导体器件上的第一氮化物层；步骤S3：在第二半导体器件所在的衬底及第二栅极结构上，依次淀积第二氮化物层，其中，所述第二氮化物层同时还覆盖剩余的第一氮化物层；步骤S4：在反应腔室内通入He或Ar气体，在紫外光环境下对第二氮化物层进行照射处理后，采用光刻、刻蚀工艺，去除剩余的第一氮化物层上的第二氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
