[发明专利]SOI型MOS晶体管的测试结构及其的形成方法有效
| 申请号： | 201110250692.1 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102306644A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 仇超;李乐;张晓勇 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SOI型MOS晶体管的测试结构，用于衡量所述SOI型MOS晶体管内体接触方式抑制浮体效应的效果，所述SOI型MOS晶体管包括第一顶层硅，位于所述第一顶层硅表面的栅极结构，分别位于所述栅极结构两侧第一顶层硅内的源区、漏区及体接触区，所述测试结构包括第二顶层硅；位于所述第二顶层硅内的第一掺杂区，及分别位于所述第一掺杂区两侧的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述源区及漏区均掺杂有第一离子，且具有相同的离子分布；所述第二掺杂区和所述体接触区均掺杂有第二离子，且具有相同的离子分布。本发明通过测试结构获取SOI型MOS晶体管的顶层硅的电阻性能，以衡量体接触方式对空穴或电子的释放效果。 | ||
| 搜索关键词： | soi mos 晶体管 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI型MOS晶体管的测试结构，所述测试结构用于衡量所述SOI型MOS晶体管内体接触方式抑制浮体效应的效果，所述SOI型MOS晶体管包括第一顶层硅，位于所述第一顶层硅表面的栅极结构，分别位于所述栅极结构两侧第一顶层硅内的源区、漏区及体接触区，其特征在于，所述测试结构包括：第二顶层硅；位于所述第二顶层硅内的第一掺杂区，及分别位于所述第一掺杂区两侧的第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区通过第二浅隔离区进行隔离，所述第一掺杂区和所述源区及漏区均掺杂有第一离子，且具有相同的离子分布；所述第二掺杂区与所述体接触区均掺杂有第二离子，且具有相同的离子分布。
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