[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110251512.1 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102694022A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 铃木诚和子;安原纪夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体装置具备：第1导电型的漂移层；设置在所述漂移层之上的第2导电型的基底层；有选择地设置在所述基底层表面的第1导电型的源极层；栅极电极，隔着栅极绝缘膜，设置在贯通所述源极层和所述基底层并到达所述漂移层的沟槽内；场板电极，在所述沟槽内，隔着场板绝缘膜设置在所述栅极电极的下侧；电连接于所述漂移层的漏极电极；和电连接于所述源极层的源极电极。所述场板电极电连接于所述源极电极。所述基底层中包含的所述第1导电型的杂质浓度比所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度低。所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度为1×1016(atoms/cm3)以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的漂移层；设置在所述漂移层之上的第2导电型的基底层；有选择地设置在所述基底层表面的第1导电型的源极层；栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在贯通所述源极层和所述基底层并到达所述漂移层的沟槽内；场板电极，在所述沟槽内，隔着场板绝缘膜，设置在所述栅极电极的下侧；电连接于所述漂移层的漏极电极；和电连接于所述源极层的源极电极，所述场板电极电连接于所述源极电极，所述基底层中包含的所述第1导电型的杂质浓度比所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度低，所述漂移层中包含的所述第1导电型的杂质浓度为1×1016(atoms/cm3)以上。
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