[发明专利]鳍式场效应管的结构及形成方法有效
| 申请号： | 201110252702.5 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102956701A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供基底；依次形成位于所述基底表面的硅薄膜、硬掩膜层、具有第一开口的图案层和覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口；在所述第二开口内形成应力层，所述应力层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；形成位于所述应力层表面、且位于所述第二开口内的保护层；去除所述图案层；在去除所述图案层之后，形成与所述侧墙相对应的两个子鳍部。本发明实施例还提供了一种采用上述形成方法形成的鳍式场效应管，所述鳍式场效应管的沟道区内的载流子迁移率高，驱动电流大，器件性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的结构，包括：基底；其特征在于，还包括：位于所述基底表面鳍部，所述鳍部包括两个位于所述基底表面、且相互分立的子鳍部，及位于两个子鳍部之间且与所述子鳍部接触的应力层，所述应力层的表面与所述子鳍部的表面齐平。
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