[发明专利]高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法有效
| 申请号： | 201110253414.1 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102320593A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 侯鹏翔;于冰;刘畅;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法，以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体，在高的氢气载气流量下，生长出高抗氧化性碳纳米管，同时通过调控加入硫生长促进剂的量，实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长，获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管，单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90％以上，单壁和双壁碳纳米管的最高抗氧化温度分别为770℃和785℃。本发明获得结晶度高、结构缺陷少、纯度高的单/双壁碳纳米管，具有优异的导电性、高弹性、高强度等特性，可望在透明导电薄膜及其相关器件上获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 高纯 双壁碳 纳米 可控 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法，其特征在于，制备碳纳米管的具体步骤如下：以氢气为载气，二茂铁为催化剂前驱体，硫粉为生长促进剂；在氢气保护下，将化学气相沉积炉的温度升至1100‑1200℃；将氢气流量调高至4000‑50000ml/min，再通入碳源气体，并将二茂铁和硫粉同时推到反应炉的160‑240℃温度区处，进行化学气相沉积生长碳纳米管，生长时间为5‑60分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110253414.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高低温正反印光栅立体彩晶玻璃及制备方法
- 下一篇：一种封闭式卫生小便器
