[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。该制造方法包括：第一掩模步骤，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；第二掩模步骤，在上面形成有第一导电图案的基板上沉积栅绝缘膜，并且在栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极、漏极和数据线的第二导电图案；第三掩模步骤，在上面沉积有第二导电图案的基板上沉积第一保护膜，并且形成像素接触孔，以露出穿过第一保护膜的漏极；第四掩模步骤，在第一保护膜上形成具有公共电极和公共线的第三导电图案，并形成第二保护膜，以与公共电极形成底切，并且所述第二保护膜包括露出公共电极上的漏极的像素接触孔；以及第五掩模步骤，形成第四导电图案，该第四导电图案包括与公共电极隔开由底切所设置的间隔的像素电极。

主权项

一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：选通线；与所述选通线交叉的数据线；薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：(i)栅极，其连接至所述选通线，(ii)源极，其连接至所述数据线，(iii)漏极，其被形成为面对所述源极，以及(iv)半导体图案，其被形成为与所述栅极交叠，其间布置有栅绝缘膜；覆盖所述薄膜晶体管的第一及第二保护膜，其中，每个保护膜都具有像素接触孔，所述像素接触孔露出了所述薄膜晶体管的漏极；像素电极，其位于所述第二保护膜上以连接至所述漏极；以及公共电极，其与所述像素电极形成边缘场，其中，所述公共电极与所述像素电极隔开由针对所述第二保护膜的底切所设置的间隔。