[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110254765.4 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386147A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 右田达夫;江泽弘和;山下创一;志摩真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：形成了布线及焊盘电极的半导体基板；在所述半导体基板上形成的再布线；比所述再布线更宽的表面层。
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