[发明专利]半导体装置内开口的形成方法有效
| 申请号： | 201110256029.2 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102881635A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 林智清;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置内开口的形成方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板具有依序形成于其上的氧化硅层、多晶硅层与氮化硅层；图案化该氮化硅层，在该氮化硅层内形成第一开口，其中该第一开口露出了该多晶硅表面；施行第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)的蚀刻气体以形成第二开口于该多晶硅层内，其中邻近于该第二开口的该多晶硅层的侧壁大体垂直于该氧化硅层的顶面，其中该氟碳化合物内的x约介于1-5且y约介于2-8；移除该氮化硅层；以及施行第二蚀刻程序，在该第二开口所露出的该氧化硅层内形成第三开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 开口 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置内开口的形成方法，包括：提供半导体基板，所述半导体基板具有依序形成于其上的氧化硅层、多晶硅层与氮化硅层；图案化所述氮化硅层，在所述氮化硅层内形成第一开口，其中所述第一开口露出了所述多晶硅表面；施行第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)的蚀刻气体以在所述多晶硅层内形成第二开口，其中邻近于所述第二开口的所述多晶硅层的侧壁大体垂直于所述氧化硅层顶面，其中所述氟碳化合物内的x约介于1‑5且y约介于2‑8；移除所述氮化硅层；以及施行第二蚀刻程序，在所述第二开口所露出的所述氧化硅层内形成第三开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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