[发明专利]晶圆级封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110256649.6 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102280391A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;李俊杰;杨红颖;俞国庆;王宥军;王蔚 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L27/146;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215026 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装结构及其形成方法，其中晶圆级封装结构的形成方法包括：提供基板；在所述基板内形成空腔；在所述基板内和空腔的部分表面形成再分布线路；提供待封装芯片，所述待封装芯片具有器件表面和与器件表面相对的底表面；在所述器件表面的焊垫层表面形成凸块下金属层和形成在凸块下金属层表面的凸块；将形成有凸块的待封装芯片与所述基板连接，使得所述待封装芯片与空腔正对且所述凸块与再分布线路电连接。本发明的晶圆级封装结构，结构简单，封装质量高，与后续PCB板制程结合时，匹配度高；本发明的晶圆级封装结构的形成方法工艺步骤节约，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，包括提供基板；在所述基板内形成空腔；在所述基板内和空腔的部分表面形成再分布线路；提供待封装芯片，所述待封装芯片具有器件表面和与器件表面相对的底表面；在所述器件表面的焊垫层表面形成凸块下金属层和形成在凸块下金属层表面的凸块；将形成有凸块的待封装芯片与所述基板连接，使得所述待封装芯片与空腔正对且所述凸块与再分布线路电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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