[发明专利]提高隔离氧化物CMP均匀性的方法有效
| 申请号： | 201110257855.9 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969238A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;杨涛;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成垫层，在垫层上以及衬底中形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成第一盖层，第一盖层的顶部高度差等于或大于隔离氧化物层的顶部高度差；在第一盖层上形成第二盖层，第二盖层的顶部高度差小于第一盖层的顶部高度差和/或隔离氧化物层的顶部高度差；依次对第二盖层、第一盖层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露垫层。依照本发明的方法，集成在HDP淀积的工艺腔里，不用额外的工艺步骤，可以在保证填充的效果的同时可以有效的降低高度差，减少或者避免凹陷(dishing)缺陷在CMP工艺中的产生，从而提高CMP工艺的平坦化均匀性，增大CMP工艺的窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 隔离 氧化物 cmp 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成垫层，在垫层上以及衬底中形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成第一盖层，第一盖层的顶部高度差等于或大于隔离氧化物层的顶部高度差；在第一盖层上形成第二盖层，第二盖层的顶部高度差小于第一盖层的顶部高度差和/或隔离氧化物层的顶部高度差；依次对第二盖层、第一盖层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露垫层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
