[发明专利]存储元件以及存储器无效
| 申请号： | 201110262491.3 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102403448A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了存储元件以及存储器，该存储元件包括：磁性层，包含FexNiyBz作为主要成分，并具有在垂直于膜面的方向上的磁各向异性，其中，x+y+z＝1，0.2x≤y≤4x，且0.1(x+y)≤z≤0.4(x+y)；以及氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成，并与磁性层的一个面相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 以及 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：磁性层，包含FexNiyBz作为主要成分，并具有在垂直于膜面的方向上的磁各向异性，其中，x+y+z＝1，0.2x≤y≤4x，且0.1(x+y)≤z≤0.4(x+y)；以及氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成，并与所述磁性层的一个面相接触。
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