[发明专利]一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述太阳能电池包括金属栅线电极、钝化层、发射极、黑硅层、硅衬底和金属背电极；金属背电极位于硅衬底的背面，发射极位于硅衬底上，黑硅层位于发射极上，钝化层位于黑硅层上，金属栅线电极位于钝化层上。所述制备方法包括：在硅衬底的背面制备金属背电极；在硅衬底表面制备发射极；在发射极上制备黑硅层；在黑硅层上制备钝化层；在钝化层制备金属栅线电极；烧结硅衬底。本发明提供的太阳能电池结构能够有效提高pn结掺杂分布的均匀性，提高了太阳能电池开路电压，从而提高了太阳能电池的效率。

主权项

一种发射极上黑硅结构的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括金属栅线电极、钝化层、发射极、黑硅层、硅衬底和金属背电极；所述金属背电极位于所述硅衬底的背面，所述发射极位于所述硅衬底上，所述黑硅层位于所述发射极上，所述钝化层位于所述黑硅层上，所述金属栅线电极位于所述钝化层上。