[发明专利]半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201110264444.2 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102446855A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 江间泰示;森年史;三宅利纪;冈部坚一 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;H01L21/20;H01L29/10 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;张志杰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种半导体器件的制造方法。该制造方法包括如下步骤。在半导体衬底上形成保护膜。穿过所述保护膜在所述半导体衬底中注入杂质离子。激活所述杂质以形成杂质层。在形成所述杂质层之后去除所述保护膜。在去除所述保护膜之后去除杂质层表面部分的半导体衬底。在去除杂质层表面部分的半导体衬底之后,于所述半导体衬底之上外延生长半导体层。本发明能够提供高性能及高可靠性的半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件的制造方法,包括如下步骤:在半导体衬底中离子注入杂质;激活所述杂质以在所述半导体衬底中形成杂质层;去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底;以及在去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底之后,于所述半导体衬底之上外延生长半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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