[发明专利]一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法有效
| 申请号： | 201110265267.X | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446769A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法，包括：在MOS器件已形成的栅极上沉积第一硅化物掩膜并刻蚀形成栅极侧壁的第一侧墙；进行P型重掺杂硼注入以及热退火处理，使得多晶硅栅的电阻得以降低；移除第一侧墙，进行轻掺杂漏极工艺，同时进行碳离子辅助注入，在栅极下方的基体与源漏极区域的交界处形成超浅结；在栅极上再次沉积第二硅化物掩模，刻蚀后形成第二侧墙；在MOS器件表面形成自对准硅化物。本发明通过调整碳辅助注入工艺流程的工艺顺序，将P型重掺杂硼注入工艺，提前到轻掺杂漏极工艺之前，从而防止了由于碳注入引起的P型多晶硅栅中，P型重掺杂硼原子不能充分扩散的问题，降低了P型多晶硅栅的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 辅助 注入 工艺流程 多晶 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法，其特征在于，包括下列步骤：在MOS器件已形成的栅极上沉积第一硅化物掩膜，刻蚀第一硅化物掩膜，形成MOS器件栅极侧壁的第一侧墙；进行P型重掺杂硼注入以及热退火处理，使得多晶硅栅的电阻得以降低；移除第一侧墙，进行轻掺杂漏极工艺，同时进行碳离子辅助注入，在栅极下方的基体与源漏极区域的交界处形成超浅结；在栅极上再次沉积第二硅化物掩模，刻蚀后形成第二侧墙；自对准硅化物工艺，在MOS器件表面形成自对准硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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