[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110265504.2 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102403358A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 小仓常雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备：第一主电极、第一半导体层、第一导电型衬底层、第二导电型衬底层、第一导电型的第二半导体层、第二导电型的埋入层、埋入电极、栅绝缘膜、栅电极、以及第二主电极。埋入层选择性地设置在第一导电型衬底层中。埋入电极设置在贯通第二导电型衬底层而到达埋入层的沟槽的底部，与埋入层相接触。栅绝缘膜设置在比埋入电极靠上的沟槽的侧壁。栅电极设置在沟槽内的栅绝缘膜内侧。第二主电极设置在第二半导体层之上，与第二半导体层及埋入电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一主电极；第一半导体层，设置在所述第一主电极之上；第一导电型衬底层，设置在所述第一半导体层之上；第二导电型衬底层，设置在所述第一导电型衬底层之上；第一导电型的第二半导体层，设置在所述第二导电型衬底层之上；第二导电型的埋入层，选择性地设置在所述第一导电型衬底层中；埋入电极，设置在贯通所述第二导电型衬底层而到达所述埋入层的沟槽的底部，与所述埋入层相接触；栅绝缘膜，设置在比所述埋入电极靠上的所述沟槽的侧壁；栅电极，设置在所述沟槽内的所述栅绝缘膜内侧；以及第二主电极，设置在所述第二半导体层之上，与所述第二半导体层及所述埋入电极电连接。
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