[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110270300.8 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103000524A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍型场效应晶体管及其制造方法，本发明通过使所述鳍体的第二部分的宽度大于第一部分的宽度，能够降低所述鳍型场效应晶体管栅区鳍体的温度，通常可降至4.1×102K～4.4×102K；特别地，所述第一部分(通常包括所述栅区鳍体下部的非有源区)的温度将降至4.1×102K～4.2×102K，从而提高了鳍型场效应晶体管的性能；此外，所述鳍体的第一部分全部为二氧化硅也可进一步降低栅区鳍体的温度，提高鳍型场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底；刻蚀所述SOI衬底以形成鳍体，所述鳍体包括第一部分及位于所述第一部分之上的第二部分，其中，第二部分的宽度大于第一部分的宽度；对所述鳍体进行氧化处理；在所述鳍体上形成栅极及源/漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
