[发明专利]基于广义小波罚函数优化二相位相移掩膜的方法

摘要

本发明提供一种基于广义小波函数优化相移掩膜的方法，该方法通过分离二相位PSM 0°及180°相位开口部分对应的图形M0和M180；并利用M0和M180对应的小波罚函数为R0和R180获取二相位PSM的广义小波罚函数R，利用R对二相位PSM进行优化，有效降低掩膜的复杂度及制造成本。同时本发明广义小波罚函数法对0°及180°相位开口图形分别进行独立处理和表征，因此不会使优化后掩膜中的0°及180°相位开口相互远离，从而保留了二相位PSM的相位调制优势。

主权项

1.一种基于广义小波函数优化相移掩膜的方法，其特征在于，具体步骤为：步骤101、分离二相位相移掩膜PSM 0°及180°相位开口部分对应的图形；其中0°相位开口部分对应的图形表示为N×N的矩阵M₀，M₀对应0°相位开口部分的元素值为1，其余部分元素值为0；180°相位开口部分对应的图形表示为N×N的矩阵M₁₈₀，M₁₈₀对应180°相位开口部分的元素值为1，其余部分元素值为0；步骤102、利用S形曲线sigmoid函数近似M₀和M₁₈₀，获取具有可导特性的M₀和M₁₈₀；步骤103、求解M₀及M₁₈₀的一阶哈尔Haar小波变换的高频分量，并根据M₀对应的高频分量求解小波罚函数为R₀，根据M₁₈₀对应的高频分量求解小波罚函数为R₁₈₀；步骤104、将二相位PSM的广义小波罚函数定义为R₀和R₁₈₀的线性组合，即R＝γ₀R₀+γ₁₈₀R₁₈₀，其中γ₀和γ₁₈₀分别为R₀和R₁₈₀的权重系数，并求取广义小波罚函数R的梯度矩阵步骤105、利用和R，基于现有的掩膜优化目标函数，对二相位PSM进行优化。