[发明专利]页面擦除的非易失性半导体存储器

摘要

在非易失性半导体存储器中，可以擦除少于整块的一个或者多个页面。通过导通晶体管施加选择电压到多个所选择字线中的每一个并且通过导通晶体管施加未选择电压到所选择块的多个未选择字线中的每一个。衬底电压被施加到所选择块的衬底。可以施加公共选择电压到每一所选择字线并且施加公共未选择电压到每一未选择字线。选择和未选择电压可以被施加到选择块的任意字线。可以应用页面擦除验证操作到具有多个所擦除页面和多个未擦除页面的块。

主权项

一种具有n个块的非易失性存储器阵列的页面的擦除验证方法，每个块具有m个存储单元页面，n和m均为正整数，在所选择块中选择一个或多个页面，每个块具有衬底上的多个存储单元串和越过该串的m个字线，每个字线可操作地连接到m个存储单元页面中相应的一个，所述方法包括：施加导致所选择的一个或多个页面的每个存储器单元仅在被擦除时导通的选择验证电压到对应于所选择的一个或多个页面的每个字线；施加导致未选择页面的每个存储器单元导通而与该未选择页面的每个存储单元的各自状态无关的未选择验证电压到对应于未选择页面的每个字线；并且读出每一串的状态，用于验证每个所选择字线的每个存储器单元的擦除。