[发明专利]半导体元件及该半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供半导体元件及该半导体元件的制造方法，该半导体元件包括：第二半导体层，包含在沿着第一半导体层的主面的方向上交替设置的第一导电型的第一柱及第二导电型的第二柱；第一控制电极，填埋在从第二半导体层的表面向第一半导体层的方向设置的沟槽的内部；及第二控制电极，设置在第二半导体层上，且与第一控制电极相连。在除由第二控制电极覆盖的部分以外的第二半导体层的表面，设置着第二导电型的第一半导体区域，在第一半导体区域的表面，选择性地设置着与由第二控制电极覆盖的第二半导体层的表面相隔开的第一导电型的第二半导体区域。此外，与第二半导体区域相邻接的第二导电型的第三半导体区域选择性地设置在第一半导体区域的表面。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括：第一导电型的第一半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且包含在沿着所述第一半导体层的主面的方向上交替设置的第一导电型的第一柱及第二导电型的第二柱；第一控制电极，隔着第一绝缘膜而填埋在从所述第二半导体层的表面向所述第一半导体的方向设置的沟槽的内部；第二控制电极，隔着第二绝缘膜而设置在所述第二半导体层上，且与所述第一控制电极相连；第二导电型的第一半导体区域，设置在除由所述第二控制电极覆盖的部分以外的所述第二半导体层的表面；第一导电型的第二半导体区域，与由所述第二控制电极覆盖的所述第二半导体层的表面相隔开，且选择性地设置在所述第一半导体区域的表面；第二导电型的第三半导体区域，与所述第二半导体区域相邻接且选择性地设置在所述第一半导体区域的表面；第一主电极，与所述第一半导体层电连接；及第二主电极，与所述第二半导体区域及第三半导体区域电连接。