[发明专利]一种硅料的铸锭方法有效

专利信息
申请号: 201110278002.3 申请日: 2011-09-19
公开(公告)号: CN102296354A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 黄林;吴彬辉;张泽兴;张小东;张理辉 申请(专利权)人: 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 332005 江西省九江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种硅料的铸锭方法,包括配料,按冶金级硅与太阳能级硅的重量比4:8备料,其中太阳能级硅中包含2-5%总重量的细碎硅料;布料,将细碎太阳能级硅铺设在坩埚底部,将冶金级硅铺设在细碎硅料上面和坩埚侧面,形成“凹”形,在坩埚中间铺设剩余太阳能级硅料,并根据目标电阻率加入掺杂剂;加热,将装有上述原料的坩埚置于铸锭炉中进行抽真空加热,分阶段升温使上部和四周的硅料熔化,至熔化后期延长熔化时间,使底部硅料全部熔化,然后进入长晶阶段;长晶,在长晶阶段,分阶段降温,使晶体由下至上生长,待晶体长成后,经退火冷却得到硅锭。该方法易于操作、成本低,适合规模化生产,制备的硅锭收益率高,且其回收料可重复利用。
搜索关键词: 一种 铸锭 方法
【主权项】:
一种硅料的铸锭方法,其特征在于,包括(1)配料,按冶金级硅与太阳能级硅的重量比4:8备料,其中太阳能级硅中包含2‑5%总重量的细碎硅料;(2)布料,将细碎太阳能级硅铺设在坩埚底部,将冶金级硅铺设在细碎硅料上面和坩埚侧面,形成“凹”形,在坩埚中间铺设剩余太阳能级硅料,并根据目标电阻率加入掺杂剂;(3)加热,将装有上述原料的坩埚置于铸锭炉中进行抽真空加热,分阶段升温使上部和四周的硅料熔化,至熔化后期延长熔化时间,使底部硅料全部熔化,然后进入长晶阶段;(4)长晶,在长晶阶段,分阶段降温,使晶体由下至上生长,待晶体长成后,经退火冷却得到硅锭。
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