[发明专利]半导体装置及功率半导体装置无效
| 申请号： | 201110278583.0 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102412218A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 齐藤泰仁;志村昌洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王成坤;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及功率半导体装置，该半导体装置包括：基台；半导体元件，安装在所述基台上；电极端子，与基台相隔开地设置；连接构件，将半导体元件与电极端子连接；及接合件。连接构件中，在与半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔。另外，接合件介于半导体元件与连接构件之间，并且进入至多个贯通孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 功率 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基台；半导体元件，安装在所述基台上；电极端子，与所述基台相隔开地设置；连接构件，将所述半导体元件与所述电极端子连接，且在与所述半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔；及接合件，介于所述半导体元件与所述连接构件之间，并且进入至所述多个贯通孔内。
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