[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 201110280133.5 | 申请日: | 2011-09-20 |
公开(公告)号: | CN102420197A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 盐田纯司 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/525;H01L23/00;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备:半导体基板(1),具有连接焊盘(2);外部连接用电极(10),在上述半导体基板上设置成与上述连接焊盘连接;和密封膜,设置成覆盖该外部连接用电极。在上述密封膜上设置了开口部(12)以使得露出上述外部连接用电极上表面的中央部(10a),而且,上述密封膜设置成覆盖上述外部连接用电极上表面的外周部(10b)。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,具备:半导体基板,具有连接焊盘;外部连接用电极,在上述半导体基板上设置成与上述连接焊盘连接;和密封膜,设置成覆盖该外部连接用电极;在上述密封膜上设置开口部以使得露出上述外部连接用电极的上表面的中央部,而且,上述密封膜设置成覆盖上述外部连接用电极的上表面的外周部。
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