[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板无效
| 申请号： | 201110280163.6 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102299104A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 覃事建 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛;田夏 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板，该制作方法包括以下步骤：依次沉积金属薄膜、绝缘层和半导体层，用构图方法制作栅线和栅极；沉积绝缘层，用构图方法制作沟道区域保护层；依次沉积掺杂半导体层、金属层，用构图方法形成源极、漏极和数据线，并切断掺杂半导体层及金属层形成通电沟道；沉积ITO层，用构图方法使ITO层形成像素电极。本发明由于采用4次构图技术，通过一次构图完成栅极、栅线及有源层的制作，并且像素电极、数据线、源极、漏极及沟道等都是通过完全显影的光刻或干刻直接形成，降低了阵列基板的制作难度和生产成本，提高了生产效率。其形成的TFT器件为背沟道保护型，有利于减小器件关态电流。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A、依次沉积金属薄膜、绝缘层和半导体层后，用构图方法制作栅线和栅极；B、沉积绝缘层，用构图方法制作沟道区域保护层；C、依次沉积掺杂半导体层、金属层，用构图方法形成源极、漏极和数据线，并切断掺杂半导体层及金属层形成通电沟道；D、沉积ITO层，用构图方法使ITO层形成像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
