[发明专利]制造晶体单元的方法、晶体单元制造掩模以及晶体单元封装无效
| 申请号： | 201110280404.7 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102437826A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 久保田元;伊东雅之;岸正一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/013 | 分类号： | H03H3/013;H03H9/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张龙哺 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造晶体单元的方法，在掩模被安置在基底上的状态下，从位于所述掩模中的多个穿孔的每个穿孔的、所述掩模的前表面中的第一开口，将粘合剂填充到每个穿孔内；以及通过加热元件，对界定了所述掩模的背表面中的第二开口的侧壁区域加热，以固化界定了每个穿孔并与填充每个穿孔的所述粘合剂接触的所述侧壁区域中的侧壁部的所述粘合剂。在从所述基底移除了所述掩模之后，使用粘合剂将振荡器板粘接到所述基底上，以形成晶体单元。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶体 单元 方法 以及 封装 | ||
【主权项】：
一种制造晶体单元的方法，包括：在掩模被安置在基底上的状态下，从位于所述掩模中的多个穿孔的每个穿孔的、所述掩模的前表面侧的第一开口，将粘合剂填充到所述多个穿孔的每个穿孔内；通过第一加热元件，对界定了与所述第一开口处于相对侧的、位于所述掩模的背表面侧的第二开口的侧壁区域加热，以固化侧壁的除了界定了所述第一开口的侧壁区域之外的、界定了所述第二开口的所述侧壁区域中的侧壁部的所述粘合剂，其中所述侧壁界定了所述多个穿孔的每个穿孔并与被填充到每个穿孔内的所述粘合剂接触；以及在从所述基底移除了所述掩模之后，使用所述基底上的所述粘合剂将振荡器板粘接到所述基底上，以形成晶体单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110280404.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法
- 下一篇：移动设备测试系统和方法
