[发明专利]一种多栅极场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110280744.X | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021851A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多栅极场效应晶体管的制作方法，首先提供一半导体基底，该半导体基底包括底部含Si半导体层、绝缘层以及顶部含Si半导体层；在所述半导体基底上沉积硬掩膜；通过一些步骤形成图案化的硬掩膜，并形成鳍片；在所述绝缘层、鳍片和所述硬掩膜上沉积另一绝缘层；去除多余的绝缘层，并保留一部分鳍片底部的绝缘层；最后去除硬掩膜。本发明还提供一种多栅极场效应晶体管结构，包括底部含Si半导体层、位于所述底部含Si半导体层上的绝缘层以及部分嵌入所述绝缘层的半导体鳍片，其中部分嵌入绝缘层的半导体鳍片高度为半导体鳍片总高度的1/10~1/3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多栅极场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括底部含Si半导体层、绝缘层以及顶部含Si半导体层；在所述半导体基底上形成硬掩膜；图案化所述硬掩膜；形成鳍片；在所述绝缘层、所述鳍片和所述硬掩膜上沉积另一绝缘层；去除多余的所述另一绝缘层，使所述硬掩膜和所述鳍片的一部分暴露出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
