[发明专利]SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法有效
| 申请号： | 201110282868.1 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103021462A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈广龙;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，首先在多晶硅栅极加第一栅压，将源端、漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第一时间；然后在多晶硅栅极加第二栅压，第二栅压绝对值小于第一栅压绝对值，在漏端加源漏端工作电压，将源端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第二时间；在多晶硅栅极加第二栅压，第二栅压绝对值小于第一栅压绝对值，在源端加源漏端工作电压，将漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第三时间；然后在多晶硅栅极加第四栅压，第四栅压绝对值大于等于第一栅压绝对值，将源端、漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第四时间。本发明的SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，提高了SONOS非挥发性存储器件的数据写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 挥发性 存储 器件 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，包括如下步骤：一.在多晶硅栅极加第一栅压，将源端、漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第一时间；二.在多晶硅栅极加第二栅压，第二栅压绝对值小于第一栅压绝对值，在漏端加源漏端工作电压，将源端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第二时间；三.在多晶硅栅极加第二栅压，第二栅压绝对值小于第一栅压绝对值，在源端加源漏端工作电压，将漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第三时间；四.在多晶硅栅极加第四栅压，第四栅压绝对值大于等于第一栅压绝对值，将源端、漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第四时间。
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