[发明专利]双栅晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110282916.7 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103022124A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅晶体管，包括：衬底上的半导体层；在半导体层中形成的鳍结构，鳍结构具有用于形成源漏区的两个端部和位于两个端部之间的用于形成沟道区的中间部分，中间部分包括垂直于衬底表面的两个相对侧面；设置在中间部分的一个侧面上的第一栅极电介质层和第一栅极；和设置在中间部分的另一个侧面上的第二栅极电介质层和第二栅极。由于在位于中间部分两侧的两个栅极上可分别制作接触，能够分别对两个栅极进行独立控制。为了有利于有效地向沟道施加应力，可形成中间部分的宽度大于两个端部的宽度并且中间部分的长度大于第一栅极的长度和第二栅极的长度中的至少一个的双栅结构，这样形成的双栅结构存在有利于向沟道施加应力的台阶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双栅晶体管，包括：衬底上的半导体层；在所述半导体层中形成的鳍结构，所述鳍结构具有用于形成源漏区的两个端部和位于两个端部之间的用于形成沟道区的中间部分，所述用于形成沟道区的中间部分包括垂直于衬底表面的两个相对侧面；设置在所述用于形成沟道区的中间部分的一个侧面上的第一栅极电介质层和第一栅极；以及设置在所述用于形成沟道区的中间部分的另一个侧面上的第二栅极电介质层和第二栅极，其特征在于：所述用于形成沟道区的中间部分的宽度大于所述用于形成源漏区的两个端部的宽度，所述用于形成沟道区的中间部分的长度大于所述第一栅极的长度和所述第二栅极的长度中的至少一个，以及所述第一栅极的高度与所述第二栅极的高度分别与所述用于形成沟道区的中间部分的高度相同，其中长度沿沟道方向，高度沿垂直于衬底表面的方向，宽度沿与长度和高度方向分别垂直的方向。
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