[发明专利]一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201110295407.8 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN102629579A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 戴天明;薛建设;姚琪;张锋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L29/786;H01L29/51
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置,涉及面板制造领域,能够降低柔性TFT基板发生龟裂的可能。该TFT阵列基板制造方法包括:在柔性基板上形成金属层,通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极;在栅线和栅极上形成栅绝缘层;在栅绝缘层上形成石墨烯层,通过第二次构图工艺处理及氢化处理得到由石墨烯构成的半导体有源层;在石墨烯层上,通过第三次构图工艺处理得到由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极;其中,源极与半导体有源层相接触,漏极与半导体有源层相接触,形成TFT沟道,像素电极与所述漏极相接触;在数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层。本发明用于柔性基板制造。
搜索关键词: 一种 柔性 tft 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【主权项】:
一种柔性TFT阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在柔性基板上形成金属层,通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极;在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成石墨烯层,通过第二次构图工艺处理及氢化处理得到由石墨烯构成的半导体有源层;在所述石墨烯层上,通过第三次构图工艺处理得到由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极;其中,所述源极与所述半导体有源层相接触,所述漏极与所述半导体有源层相接触,形成TFT沟道,所述像素电极与所述漏极相接触;在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层。
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